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MTD6N20ET5G |
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | ON Semiconductor | 168 | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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MTD6N20ET5G参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 200V 6A DPAK 包装数量:2500 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):200V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):700 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):480pF @ 25V 功率 - 最大值:1.75W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: AC DC 转换器MP1-3H-1N-1N-1Q-1Q-80 圆形CA3100E32A55PB09 光隔离器 - 晶体EL357NA(TB)-G 光隔离器 - 晶体PS2802-4-F3-A 铝电容器B43514C9108M DC DC ConVYB20W-Q24-S12-T 晶体管(BJT) KSP6521BU TVS - 变阻器ROV14H241K-2 RF 收发器SG901-1071-CT 矩形A1AXG-3436G |